يشترى MTD6N15T4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MTD6N15T4G
- رقم القطعة:
- MTD6N15T4G
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 6A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13943 Pieces
- ورقة البيانات:
- MTD6N15T4G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MTD6N15T4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MTD6N15T4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 3A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.25W (Ta), 20W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | MTD6N15T4GOS MTD6N15T4GOS-ND MTD6N15T4GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | MTD6N15T4G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 6A (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount DPAK-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMTD6N15T4G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MTD6N15T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 6A DPAK | تحقيق |
 |
BUK7Y22-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK | تحقيق |
|
MTD6N15T4GV | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5A DPAK | تحقيق |
 |
SPP80N06S2L-09 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
|
MTD6N20ET4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | تحقيق |
 |
2N7002,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 | تحقيق |
 |
NTMS4937NR2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC | تحقيق |
 |
SI5853DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8 | تحقيق |
 |
JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 3.5A | تحقيق |
|
MTD6N20ET5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | تحقيق |
 |
IRF7853PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
MTD6N20ET4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK | تحقيق |
 |
PSMN3R3-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB | تحقيق |
 |
IXFN40N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V 33A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog