MUN2232T1G
MUN2232T1G
رقم القطعة:
MUN2232T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14016 Pieces
ورقة البيانات:
MUN2232T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MUN2232T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MUN2232T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MUN2232T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SC-59
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):4.7k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):4.7k
السلطة - ماكس:338mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
اسماء اخرى:MUN2232T1G-ND
MUN2232T1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:MUN2232T1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 338mW Surface Mount SC-59
وصف:TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:15 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات