العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح > MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
MUN5113DW1T1G
رقم القطعة:
MUN5113DW1T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14541 Pieces
ورقة البيانات:
MUN5113DW1T1G.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MUN5113DW1T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MUN5113DW1T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MUN5113DW1T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 300µA, 10mA
نوع الترانزستور:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
تجار الأجهزة حزمة:SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):47k
السلطة - ماكس:250mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:MUN5113DW1T1G-ND
MUN5113DW1T1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:MUN5113DW1T1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
وصف:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لMUN5113DW1T1G

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
MUN5114DW1T1 Image MUN5114DW1T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5113T3G Image MUN5113T3G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5113T1 Image MUN5113T1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5114T1G Image MUN5114T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5114DW1T1G Image MUN5114DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5112DW1T1G Image MUN5112DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5116DW1T1G Image MUN5116DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5116DW1T1 Image MUN5116DW1T1 ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5116T1G Image MUN5116T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5111T1G Image MUN5111T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5113T1G Image MUN5113T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5116T1 Image MUN5116T1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5115T1 Image MUN5115T1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5111DW1T1G Image MUN5111DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق
MUN5115T1G Image MUN5115T1G ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5114T1 Image MUN5114T1 ON Semiconductor TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 تحقيق
MUN5115DW1T1G Image MUN5115DW1T1G ON Semiconductor TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 تحقيق

Latest الأخبار