يشترى MUR2X030A12 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MUR2X030A12
- رقم القطعة:
- MUR2X030A12
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17122 Pieces
- ورقة البيانات:
- MUR2X030A12.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MUR2X030A12 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MUR2X030A12 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.35V @ 30A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-227 |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 85ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | SOT-227-4, miniBLOC |
| اسماء اخرى: | 1242-1308 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MUR2X030A12 |
| وصف موسع: | Diode Array 2 Independent Standard 1200V (1.2kV) 60A Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 2 Independent |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1200V 60A SOT227 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 1200V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMUR2X030A12
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MUR2X100A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 200A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X030A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 60A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X030A10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1000V 60A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X060A02 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 120A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X030A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 60A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X060A12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 60A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X060A06 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 600V 120A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X030A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 30A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X060A10 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1KV 60A SOT227 | تحقيق |
|
MUR2X060A04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 120A SOT227 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog