يشترى MURS160HE3_A/I مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MURS160HE3_A/I
- رقم القطعة:
- MURS160HE3_A/I
- وصف:
- DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13080 Pieces
- ورقة البيانات:
- MURS160HE3_A/I.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MURS160HE3_A/I ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MURS160HE3_A/I عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.25V @ 1A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-214AA (SMB) |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101 |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 75ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-214AA, SMB |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -65°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 27 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MURS160HE3_A/I |
| وصف موسع: | Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB) |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 600V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 2A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMURS160HE3_A/I
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MURS160HE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160HE3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160/2 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160-E3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160HE3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA | تحقيق |
|
MURS160-M3/52T | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 1A 600V 50NS DO-214AA | تحقيق |
|
MURS160-M3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE RECT 1A 600V 50NS DO-214AA | تحقيق |
|
MURS120-E3/5BT | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog