MURT10060R
MURT10060R
رقم القطعة:
MURT10060R
الصانع:
GeneSiC Semiconductor
وصف:
DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16805 Pieces
ورقة البيانات:
1.MURT10060R.pdf2.MURT10060R.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MURT10060R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MURT10060R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى MURT10060R مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا:1.7V @ 100A
الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس):600V
تجار الأجهزة حزمة:Three Tower
سرعة:Fast Recovery = 200mA (Io)
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):75ns
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:Three Tower
اسماء اخرى:MURT10060RGN
درجة حرارة التشغيل - تقاطع:-40°C ~ 175°C
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:MURT10060R
وصف موسع:Diode Array Standard, Reverse Polarity 600V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
نوع الصمام الثنائي:Standard, Reverse Polarity
تكوين الصمام الثنائي:-
وصف:DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER
التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي:25µA @ 50V
التيار - متوسط ​​مصحح (أيو) (لكل ديود):100A (DC)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات