يشترى MURT20060R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
MURT20060R
- رقم القطعة:
- MURT20060R
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18690 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.MURT20060R.pdf2.MURT20060R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل MURT20060R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك MURT20060R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.7V @ 100A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 600V |
| تجار الأجهزة حزمة: | Three Tower |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 160ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Three Tower |
| اسماء اخرى: | MURT20060RGN |
| تصاعد نوع: | Chassis Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | MURT20060R |
| وصف موسع: | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 600V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| تكوين الصمام الثنائي: | 1 Pair Common Anode |
| وصف: | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 25µA @ 50V |
| التيار - متوسط مصحح (أيو) (لكل ديود): | 200A (DC) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لMURT20060R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MURT20060 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20040R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20020 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20005R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20005 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20020R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20010R | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20010 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 100V 200A 3TOWER | تحقيق |
|
MURT20040 | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 200A 3TOWER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog