NCP5109BDR2G
رقم القطعة:
NCP5109BDR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
IC DRIVER HI/LOW SIDE HV
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12707 Pieces
ورقة البيانات:
NCP5109BDR2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NCP5109BDR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NCP5109BDR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NCP5109BDR2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:10 V ~ 20 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):85ns, 35ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 125°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:NCP5109BDR2G
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.8V, 2.3V
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):200V
نوع البوابة:IGBT, N-Channel MOSFET
وصف موسع:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
تكوين مدفوعة:Half-Bridge
وصف:IC DRIVER HI/LOW SIDE HV
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):250mA, 500mA
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Independent
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات