NCP5359DR2G
رقم القطعة:
NCP5359DR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12216 Pieces
ورقة البيانات:
NCP5359DR2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NCP5359DR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NCP5359DR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NCP5359DR2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:10 V ~ 13.2 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):16ns, 11ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NCP5359DR2G-ND
NCP5359DR2GOSTR
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):3 (168 Hours)
الصانع المهلة القياسية:13 Weeks
الصانع الجزء رقم:NCP5359DR2G
المنطق الجهد - فيل، فيه:1V, 2V
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):35V
نوع البوابة:N-Channel MOSFET
وصف موسع:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
تكوين مدفوعة:Half-Bridge
وصف:IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):-
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Synchronous
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات