NCP5901BDR2G
رقم القطعة:
NCP5901BDR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17445 Pieces
ورقة البيانات:
NCP5901BDR2G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NCP5901BDR2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NCP5901BDR2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NCP5901BDR2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - توريد:4.5 V ~ 13.2 V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:-
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):16ns, 11ns
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NCP5901BDR2G-ND
NCP5901BDR2GOSTR
درجة حرارة التشغيل:0°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:2
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:17 Weeks
الصانع الجزء رقم:NCP5901BDR2G
المنطق الجهد - فيل، فيه:0.7V, 3.4V
نوع المدخلات:Non-Inverting
عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد):35V
نوع البوابة:N-Channel MOSFET
وصف موسع:Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC
تكوين مدفوعة:Half-Bridge
وصف:IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):-
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Synchronous
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات