يشترى NDD02N60Z-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±30V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 57W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
اسماء اخرى: | NDD02N60Z-1G-ND NDD02N60Z-1GOS NDD02N60Z1G |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 28 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | NDD02N60Z-1G |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 274pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 10.1nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 600V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-Pak |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
وصف: | MOSFET N-CH 600V IPAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |