يشترى NDTL01N60ZT3G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NDTL01N60ZT3G
- رقم القطعة:
- NDTL01N60ZT3G
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12369 Pieces
- ورقة البيانات:
- NDTL01N60ZT3G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NDTL01N60ZT3G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NDTL01N60ZT3G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 (TO-261) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 Ohm @ 400mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 9 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NDTL01N60ZT3G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 92pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.9nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 250mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNDTL01N60ZT3G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN6070SFCL-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 3A 6-DFN | تحقيق |
 |
IRFP4410ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A TO-247AC | تحقيق |
 |
DMP2004WK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3 | تحقيق |
 |
IRLR3105TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A DPAK | تحقيق |
 |
CSD17552Q3A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 15A 8SON | تحقيق |
 |
BS170G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92 | تحقيق |
 |
STL8N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV | تحقيق |
 |
IRF9Z34 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB | تحقيق |
 |
RJK03M4DPA-00#J5A | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 35A WPAK | تحقيق |
 |
NDTL01N60ZT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.25A SOT223-4 | تحقيق |
 |
SUD50P10-43L-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252 | تحقيق |
 |
IRFS7734PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 183A D2PAK | تحقيق |
 |
IXFX120N20 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247 | تحقيق |
 |
STWA45N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 35A TO247 | تحقيق |
 |
NDTL03N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 | تحقيق |
 |
SI2315BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3 | تحقيق |
 |
FDP8442 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog