يشترى NE25139-T1-U73 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE25139-T1-U73
- رقم القطعة:
- NE25139-T1-U73
- وصف:
- FET RF 13V 900MHZ SOT-143
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12725 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE25139-T1-U73.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE25139-T1-U73 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE25139-T1-U73 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 5V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 13V |
| نوع الترانزستور: | MESFET Dual Gate |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-143 |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-253-4, TO-253AA |
| اسماء اخرى: | NE25139-U73-T1 NE25139U73 NE25139U73-E1 NE25139U73-ND NE25139U73TR Q805260 |
| الضوضاء الشكل: | 1.1dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE25139-T1-U73 |
| ربح: | 20dB |
| تردد: | 900MHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet MESFET Dual Gate 5V 10mA 900MHz 20dB SOT-143 |
| وصف: | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 |
| التصويت الحالي: | 40mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE25139-T1-U73
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NE25139-T1 | CEL | FET RF 13V 900MHZ SOT-143 | تحقيق |
 |
PTFB183404EV1R0XTMA1 | Infineon Technologies | IC AMP RF LDMOS H-36275-8 | تحقيق |
 |
BF245A_D27Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 6.5MA TO92 | تحقيق |
|
PTFA220121MV4R1KXUMA1 | Infineon Technologies | RF MOSFET TRANSISTORS | تحقيق |
 |
BLF8G20LS-400PVU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B | تحقيق |
 |
MRF7P20040HSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780HS-4 | تحقيق |
 |
BLF1822-10,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13.5DB SOT467C | تحقيق |
 |
PTFA080551FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2 | تحقيق |
 |
BLF8G10LS-270GV,12 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C | تحقيق |
 |
BLP8G20S-80PY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12231 | تحقيق |
 |
BLA1011-200R,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLF6G10LS-200RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502B | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog