يشترى NE4210S01-T1B مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NE4210S01-T1B
- رقم القطعة:
- NE4210S01-T1B
- وصف:
- HJ-FET 13DB S01
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12993 Pieces
- ورقة البيانات:
- NE4210S01-T1B.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE4210S01-T1B ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE4210S01-T1B عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - اختبار: | 2V |
|---|---|
| الجهد - تقييمه: | 4V |
| نوع الترانزستور: | HFET |
| تجار الأجهزة حزمة: | SMD |
| سلسلة: | - |
| مخرج قوي: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Box (TB) |
| حزمة / كيس: | 4-SMD |
| الضوضاء الشكل: | 0.5dB |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NE4210S01-T1B |
| ربح: | 13dB |
| تردد: | 12GHz |
| وصف موسع: | RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13dB SMD |
| وصف: | HJ-FET 13DB S01 |
| التصويت الحالي: | 15mA |
| الحالي - اختبار: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNE4210S01-T1B
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PD57018TR-E | STMicroelectronics | TRANSISTOR RF POWERSO-10 | تحقيق |
 |
PTFA181001GL V1 | Infineon Technologies | IC FET RF LDMOS 100W PG-63248-2 | تحقيق |
 |
MAGX-0110087 | M/A-Com Technology Solutions | HEMT N-CH 600W 1030-1090MHZ | تحقيق |
 |
MRF9080LR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 960MHZ NI-780 | تحقيق |
 |
NE4210S01 | CEL | HJ-FET 13DB S01 | تحقيق |
 |
BLA8G1011L-300GU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A | تحقيق |
 |
BLM7G1822S-20PBGY | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 32.3DB SOT12121 | تحقيق |
 |
BLF7G10LS-250,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B | تحقيق |
 |
MRF5S4125NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 465MHZ TO-270-4 | تحقيق |
|
BLF6G20LS-180RN:11 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT502B | تحقيق |
 |
BLF642,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 19DB SOT467C | تحقيق |
 |
BF256A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 7MA TO92 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog