NE5531079A-T1-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE5531079A-T1-A

NE5531079A-T1-A

رقم القطعة:: NE5531079A-T1-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 30V 460MHZ 79A

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15218 Pieces

ورقة البيانات:: NE5531079A-T1-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE5531079A-T1-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE5531079A-T1-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE5531079A-T1-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	7.5V
الجهد - تقييمه:	30V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	79A
سلسلة:	-
مخرج قوي:	40dBm
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	4-SMD, Flat Leads
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE5531079A-T1-A
ربح:	-
تردد:	460MHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 7.5V 200mA 460MHz 40dBm 79A
وصف:	FET RF 30V 460MHZ 79A
التصويت الحالي:	3A
الحالي - اختبار:	200mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE5531079A-T1-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRF9060LSR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 945MHZ NI-360S	تحقيق
MRF9180R6	NXP USA Inc.	FET RF 65V 880MHZ NI-1230	تحقيق
A2I08H040GNR1	NXP USA Inc.	IC RF LDMOS AMP	تحقيق
NE5531079A-T1A-A	CEL	FET RF 30V 460MHZ 79A	تحقيق
A2I20H060NR1	NXP USA Inc.	IC TRANS RF LDMOS	تحقيق
NE5531079A-A	CEL	FET RF 30V 460MHZ 79A	تحقيق
NE3514S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 10DB S02	تحقيق
PTFA092213ELV4R250XTMA2	Infineon Technologies	IC RF FET LDMOS H-33288-6	تحقيق
MRF6V13250HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 120V 1.3GHZ NI780S	تحقيق
BLF2425M7L250P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15DB SOT539A	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار