NE55410GR-T3-AZ - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE55410GR-T3-AZ

NE55410GR-T3-AZ

رقم القطعة:: NE55410GR-T3-AZ

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 12995 Pieces

ورقة البيانات:: NE55410GR-T3-AZ.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE55410GR-T3-AZ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE55410GR-T3-AZ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE55410GR-T3-AZ مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	28V
الجهد - تقييمه:	65V
نوع الترانزستور:	LDMOS
تجار الأجهزة حزمة:	16-HTSSOP
سلسلة:	-
مخرج قوي:	35.4dBm
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	16-DFF, Exposed Pad
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE55410GR-T3-AZ
ربح:	13.5dB
تردد:	2.14GHz
وصف موسع:	RF Mosfet LDMOS 28V 20mA 2.14GHz 13.5dB 35.4dBm 16-HTSSOP
وصف:	FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
التصويت الحالي:	250mA, 1A
الحالي - اختبار:	20mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE55410GR-T3-AZ

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
NE55410GR-AZ	CEL	FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP	تحقيق
CGHV22100F	Cree/Wolfspeed	FET RF 125V 2.2GHZ 440162	تحقيق
BLF6G27-10G,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C	تحقيق
PD55003S	STMicroelectronics	FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10	تحقيق
BF1100WR,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R	تحقيق
BLC9G20LS-120VY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753	تحقيق
PXAC261002FCV1XWSA1	Infineon Technologies	IC AMP RF LDMOS	تحقيق
MRF6S19100HSR5	NXP USA Inc.	FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار