NE651R479A-T1-A - CEL - الترانزستورات - فيتس، موسيتس - رف NE651R479A-T1-A

NE651R479A-T1-A

رقم القطعة:: NE651R479A-T1-A

الصانع:: CEL (California Eastern Laboratories)

وصف:: FET RF 8V 1.9GHZ 79A

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 16835 Pieces

ورقة البيانات:: NE651R479A-T1-A.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NE651R479A-T1-A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NE651R479A-T1-A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NE651R479A-T1-A مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - اختبار:	3.5V
الجهد - تقييمه:	8V
نوع الترانزستور:	HFET
تجار الأجهزة حزمة:	79A
سلسلة:	-
مخرج قوي:	27dBm
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	4-SMD, Flat Leads
الضوضاء الشكل:	-
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NE651R479A-T1-A
ربح:	12dB
تردد:	1.9GHz
وصف موسع:	RF Mosfet HFET 3.5V 50mA 1.9GHz 12dB 27dBm 79A
وصف:	FET RF 8V 1.9GHZ 79A
التصويت الحالي:	1A
الحالي - اختبار:	50mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNE651R479A-T1-A

رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
MRFE6S9160HR5	NXP USA Inc.	FET RF 66V 880MHZ NI-780	تحقيق
MRF5S19090HR5	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	تحقيق
MRF5S19100HR3	NXP USA Inc.	FET RF 65V 1.99GHZ NI-780	تحقيق
NE651R479A-A	CEL	FET RF 8V 1.9GHZ 79A	تحقيق
NE6510179A-T1-A	CEL	FET RF 8V 1.9GHZ 79A	تحقيق
BLF6G22L-40P,118	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A	تحقيق
CGH55030F2	Cree/Wolfspeed	FET RF 84V 6GHZ 440166	تحقيق
BLC9G27LS-151AVY	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 15.6DB SOT12753	تحقيق
NE6510179A-A	CEL	FET RF 8V 1.9GHZ 79A	تحقيق
BLF7G20L-90P,112	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1121A	تحقيق
BLF1721M8LS200U	Ampleon USA Inc.	RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B	تحقيق
VRF2944MP	Microsemi Corporation	MOSFET RF N-CH 170V 50A M177	تحقيق
MPF102G	ON Semiconductor	JFET N-CH 25V 20MA TO92	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار