يشترى NGTB30N120FL2WG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NGTB30N120FL2WG
- رقم القطعة:
- NGTB30N120FL2WG
- وصف:
- IGBT 1200V 60A 452W TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18617 Pieces
- ورقة البيانات:
- NGTB30N120FL2WG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NGTB30N120FL2WG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NGTB30N120FL2WG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.3V @ 15V, 30A |
| اختبار حالة: | 600V, 30A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 98ns/210ns |
| تحويل الطاقة: | 2.6mJ (on), 700µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 240ns |
| السلطة - ماكس: | 452W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | NGTB30N120FL2WGOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NGTB30N120FL2WG |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 220nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 452W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 1200V 60A 452W TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 120A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNGTB30N120FL2WG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NGTB30N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 60A 394W TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N120IHSWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N60FLWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 250W TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N120L2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 534W TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N120IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 60A 384W TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N120LWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N120IHLWG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 30A TO247 | تحقيق |
|
NGTB30N135IHR1WG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 30A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog