NGTB40N65FL2WG
NGTB40N65FL2WG
رقم القطعة:
NGTB40N65FL2WG
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
IGBT 650V 80A 366W TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16288 Pieces
ورقة البيانات:
NGTB40N65FL2WG.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NGTB40N65FL2WG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NGTB40N65FL2WG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NGTB40N65FL2WG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):650V
VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم:2V @ 15V, 40A
اختبار حالة:400V, 40A, 10 Ohm, 15V
تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C:84ns/177ns
تحويل الطاقة:970µJ (on), 440µJ (off)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:-
عكس وقت الاسترداد (TRR):72ns
السلطة - ماكس:366W
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:NGTB40N65FL2WGOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:NGTB40N65FL2WG
نوع المدخلات:Standard
نوع IGBT:Trench Field Stop
بوابة المسؤول:170nC
وصف موسع:IGBT Trench Field Stop 650V 80A 366W Through Hole TO-247
وصف:IGBT 650V 80A 366W TO247
الحالي - جامع نابض (آي سي إم):160A
الحالي - جامع (IC) (ماكس):80A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات