يشترى NGTB75N65FL2WG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NGTB75N65FL2WG
- رقم القطعة:
- NGTB75N65FL2WG
- وصف:
- IGBT 600V 75A TO247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14155 Pieces
- ورقة البيانات:
- NGTB75N65FL2WG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NGTB75N65FL2WG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NGTB75N65FL2WG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 650V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2V @ 15V, 75A |
| اختبار حالة: | 400V, 75A, 10 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 110ns/270ns |
| تحويل الطاقة: | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 80ns |
| السلطة - ماكس: | 595W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 29 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NGTB75N65FL2WG |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 310nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench Field Stop 650V 100A 595W Through Hole TO-247 |
| وصف: | IGBT 600V 75A TO247 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 200A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNGTB75N65FL2WG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STGP7NB60HD | STMicroelectronics | IGBT 600V 14A 80W TO220 | تحقيق |
 |
NGTB75N60FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 600V 75A TO247 | تحقيق |
 |
STGF19NC60HD | STMicroelectronics | IGBT 600V 16A 32W TO220FP | تحقيق |
 |
AUIRGU4045D | Infineon Technologies | DIODE 600V IGBT | تحقيق |
 |
IRGS4620DTRRPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 32A 140W D2PAK | تحقيق |
|
NGTB75N60SWG | ON Semiconductor | IGBT 75A 600V TO-247 | تحقيق |
 |
IRGP4640-EPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 65A 250W TO247AD | تحقيق |
 |
IRG4RC10UTR | Infineon Technologies | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | تحقيق |
 |
IRGPC30FD2 | Infineon Technologies | IGBT W/DIODE 600V 31A TO-247AC | تحقيق |
 |
IXXR110N65B4H1 | IXYS | IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
IXBK75N170A | IXYS | IGBT 1700V 110A 1040W TO264 | تحقيق |
 |
IXBP5N160G | IXYS | IGBT 1600V 5.7A 68W TO220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog