يشترى NOJB107M006RWB مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NOJB107M006RWB
- رقم القطعة:
- NOJB107M006RWB
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 1210
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12094 Pieces
- ورقة البيانات:
- NOJB107M006RWB.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NOJB107M006RWB ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NOJB107M006RWB عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
|---|---|
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 (3528 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| سلسلة: | OxiCap® NOJ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1411 (3528 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 19 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | B |
| الصانع الجزء رقم: | NOJB107M006RWB |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.083" (2.10mm) |
| الميزات: | - |
| وصف موسع: | 100µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1411 (3528 Metric) 400 mOhm ESR |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 400 mOhm |
| عامل التبدد: | 20% |
| وصف: | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 1210 |
| الحالي - التسرب: | 60µA |
| مواسعة: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNOJB107M006RWB
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJB156M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 10V 1210 | تحقيق |
|
NOJB156M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 15UF 20% 6.3V 1210 | تحقيق |
|
NOJB106M010RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 10UF 20% 10V 1210 | تحقيق |
|
NOJB107M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 6.3V 1210 | تحقيق |
|
NOJB107M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 1210 | تحقيق |
|
NOJB107M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 1.8V 1210 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog