يشترى NOJT475M010RWJ مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NOJT475M010RWJ
- رقم القطعة:
- NOJT475M010RWJ
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP NIOB OXID 4.7UF 20% 10V 1210
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16902 Pieces
- ورقة البيانات:
- NOJT475M010RWJ.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NOJT475M010RWJ ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NOJT475M010RWJ عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - تقييمه: | 10V |
|---|---|
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 (3528 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) |
| سلسلة: | OxiCap® NOJ |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1411 (3528 Metric) |
| اسماء اخرى: | 478-5841-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | T |
| الصانع الجزء رقم: | NOJT475M010RWJ |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.047" (1.20mm) |
| الميزات: | - |
| وصف موسع: | 4.7µF Niobium Oxide Capacitor 10V 1411 (3528 Metric) 3.1 Ohm ESR |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 3.1 Ohm |
| عامل التبدد: | 6% |
| وصف: | CAP NIOB OXID 4.7UF 20% 10V 1210 |
| الحالي - التسرب: | 1µA |
| مواسعة: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNOJT475M010RWJ
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJT476M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 2.5V 1210 | تحقيق |
 |
NOJX686M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 6.3V 2917 | تحقيق |
 |
NOJP156M004RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 0805 | تحقيق |
|
NOJT685M006RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 6.8UF 20% 6.3V 1210 | تحقيق |
 |
NOSC686M002S0200 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 2.5V 2312 | تحقيق |
|
NOJT476M001RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 47UF 20% 1.8V 1210 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog