يشترى NOSA106K006R2000 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NOSA106K006R2000
- رقم القطعة:
- NOSA106K006R2000
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP NIOB OXID 10UF 10% 6.3V 1206
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16014 Pieces
- ورقة البيانات:
- NOSA106K006R2000.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NOSA106K006R2000 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NOSA106K006R2000 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - تقييمه: | 6.3V |
|---|---|
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1206 (3216 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | OxiCap® NOS |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 1206 (3216 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | A |
| الصانع الجزء رقم: | NOSA106K006R2000 |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.071" (1.80mm) |
| الميزات: | Low ESR |
| وصف موسع: | 10µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 1206 (3216 Metric) 2 Ohm ESR |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 2 Ohm |
| عامل التبدد: | 6% |
| وصف: | CAP NIOB OXID 10UF 10% 6.3V 1206 |
| الحالي - التسرب: | 1.2µA |
| مواسعة: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNOSA106K006R2000
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NOJW686M002RWJ | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 68UF 20% 2.5V 2312 | تحقيق |
 |
NOSA106M008R2200V | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 8V 1206 | تحقيق |
|
NOSA106M006R0800 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOSA106M006R1000 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOSA156M004R1500 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 15UF 20% 4V 1206 | تحقيق |
|
NOSA106M006S0800 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
|
NOSA106M006R2000 | AVX Corporation | CAP NIOB OXID 10UF 20% 6.3V 1206 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog