يشترى NOSC107M004R0150 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NOSC107M004R0150
- رقم القطعة:
- NOSC107M004R0150
- الصانع:
- AVX Corporation
- وصف:
- CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14106 Pieces
- ورقة البيانات:
- NOSC107M004R0150.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NOSC107M004R0150 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NOSC107M004R0150 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - تقييمه: | 4V |
|---|---|
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2312 (6032 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) |
| سلسلة: | OxiCap® NOS |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2312 (6032 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| مصنع رمز حجم: | C |
| الصانع الجزء رقم: | NOSC107M004R0150 |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.110" (2.80mm) |
| الميزات: | Low ESR |
| وصف موسع: | 100µF Niobium Oxide Capacitor 4V 2312 (6032 Metric) 150 mOhm ESR |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | 150 mOhm |
| عامل التبدد: | 6% |
| وصف: | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312 |
| الحالي - التسرب: | 8µA |
| مواسعة: | 100µF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNOSC107M004R0150
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NOSC107M004R0070 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 20% 4V 2312 | تحقيق |
|
NOSC107M002R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | تحقيق |
|
NOSC107M002S0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 100UF 20% 2.5V 2312 | تحقيق |
|
NOSC157M004R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 150UF 20% 4V 2312 | تحقيق |
|
NOSC107M006R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXIDE 100UF 6.3V 2312 | تحقيق |
|
NOSC157M002R0150 | AVX Corporation | CAP NIOB OXI 150UF 20% 2.5V 2312 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog