يشترى NP160N055TUJ-E1-AY مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NP160N055TUJ-E1-AY
- رقم القطعة:
- NP160N055TUJ-E1-AY
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16251 Pieces
- ورقة البيانات:
- NP160N055TUJ-E1-AY.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NP160N055TUJ-E1-AY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NP160N055TUJ-E1-AY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263-7 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta), 250W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| اسماء اخرى: | NP160N055TUJ-E1-AY-ND NP160N055TUJ-E1-AYTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NP160N055TUJ-E1-AY |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 10350pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 160A (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263-7 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 160A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNP160N055TUJ-E1-AY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | تحقيق |
 |
NP160N055TUK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 160A TO-263 | تحقيق |
 |
BBS3002-TL-1E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 100A | تحقيق |
 |
IXKC15N60C5 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | تحقيق |
|
NP160N04TUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 | تحقيق |
 |
NP160N04TDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263 | تحقيق |
 |
BTS244ZNKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 | تحقيق |
 |
IPS075N03LGBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 | تحقيق |
|
NP160N04TUJ-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 160A TO-263-7 | تحقيق |
 |
IXFH24N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 24A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXTU50N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 | تحقيق |
 |
IRL2505S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | تحقيق |
 |
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog