يشترى NP60N04VUK-E1-AY مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NP60N04VUK-E1-AY
- رقم القطعة:
- NP60N04VUK-E1-AY
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18902 Pieces
- ورقة البيانات:
- NP60N04VUK-E1-AY.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NP60N04VUK-E1-AY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NP60N04VUK-E1-AY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-252 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.85 mOhm @ 30A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.2W (Ta), 105W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NP60N04VUK-E1-AY |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3680pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 63nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 60A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) Surface Mount TO-252 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 60A TO-252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNP60N04VUK-E1-AY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NP60N04NUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 60A TO-220 | تحقيق |
 |
NP60N04MUG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 60A TO-220 | تحقيق |
|
NP60N055VUK-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 60A TO-252 | تحقيق |
|
NP60N055MUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220 | تحقيق |
 |
NP60N04KUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 60A TO-263 | تحقيق |
|
NP60N055KUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 60A TO-263 | تحقيق |
|
NP60N03SUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A TO-252 | تحقيق |
|
NP60N055NUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220 | تحقيق |
|
NP60N03KUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V 60A TO-263 | تحقيق |
|
NP60N04MUK-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 60A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog