يشترى NP80N04PLG-E1B-AY مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NP80N04PLG-E1B-AY
- رقم القطعة:
- NP80N04PLG-E1B-AY
- الصانع:
- Renesas Electronics America
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18832 Pieces
- ورقة البيانات:
- NP80N04PLG-E1B-AY.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NP80N04PLG-E1B-AY ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NP80N04PLG-E1B-AY عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-263 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.5 mOhm @ 40A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta), 115W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | NP80N04PLG-E1B-AY-ND NP80N04PLG-E1B-AYTR |
| درجة حرارة التشغيل: | 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NP80N04PLG-E1B-AY |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6900pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 135nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 80A (Tc) 1.8W (Ta), 115W (Tc) Surface Mount TO-263 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNP80N04PLG-E1B-AY
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
NP80N06MLG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
NP80N06PLG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
NP80N055NDG-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | تحقيق |
|
NP80N04KHE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
IPD160N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3 | تحقيق |
|
NP80N055KLE-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-263 | تحقيق |
|
NP80N055MHE-S18-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
|
NP80N04PUG-E1B-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 40V 80A TO-263 | تحقيق |
 |
PMCM4401VPEZ | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 12V WLCSP | تحقيق |
 |
STFI260N6F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog