يشترى NSBC123JPDXV6T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 50V |
---|---|
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم: | 250mV @ 300µA, 10mA |
نوع الترانزستور: | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
تجار الأجهزة حزمة: | SOT-563 |
سلسلة: | - |
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم): | 47k |
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم): | 2.2k |
السلطة - ماكس: | 500mW |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
اسماء اخرى: | NSBC123JPDXV6T1GOS NSBC123JPDXV6T1GOS-ND NSBC123JPDXV6T1GOSTR |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | NSBC123JPDXV6T1G |
تردد - تحول: | - |
وصف موسع: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563 |
وصف: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE: | 80 @ 5mA, 10V |
الحالي - جامع القطع (ماكس): | 500nA |
الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 100mA |
Email: | [email protected] |