NSM11156DW6T1G - ON Semiconductor - الترانزستورات - ثنائي القطب (بجت) - صفائف، قبل منح NSM11156DW6T1G

NSM11156DW6T1G

رقم القطعة:: NSM11156DW6T1G

الصانع:: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

وصف:: TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88

حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:: الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة

الكمية المتوفرة:: 15244 Pieces

ورقة البيانات:: NSM11156DW6T1G.pdf

تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSM11156DW6T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSM11156DW6T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.

يشترى NSM11156DW6T1G مع BYCHPS

شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):	50V, 65V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:	250mV @ 300µA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA
نوع الترانزستور:	1 PNP Pre-Biased, 1 PNP
تجار الأجهزة حزمة:	SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:	-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):	10k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):	10k
السلطة - ماكس:	230mW
التعبئة والتغليف:	Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
تصاعد نوع:	Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):	1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:	NSM11156DW6T1G
تردد - تحول:	-
وصف موسع:	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP 50V, 65V 100mA 230mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
وصف:	TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:	35 @ 5mA, 10V / 220 @ 2mA, 5V
الحالي - جامع القطع (ماكس):	500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):	100mA
Email:	[email protected]

قطع الغيار ذات الصلة لNSM11156DW6T1G

صورة	رقم القطعة	مصنعين	وصف	رأي
	DDA123JK-7-F	Diodes Incorporated	TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT26	تحقيق
	PBLS1504V,115	NXP USA Inc.	TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT666	تحقيق

المقدمة

مواصفات

سريع طلب اقتباس

Latest الأخبار