NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G
رقم القطعة:
NSTB60BDW1T1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16765 Pieces
ورقة البيانات:
NSTB60BDW1T1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSTB60BDW1T1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSTB60BDW1T1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NSTB60BDW1T1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
نوع الترانزستور:1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
تجار الأجهزة حزمة:SC-88/SC70-6/SOT-363
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):22k
السلطة - ماكس:250mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
اسماء اخرى:NSTB60BDW1T1GOS
NSTB60BDW1T1GOS-ND
NSTB60BDW1T1GOSTR
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:10 Weeks
الصانع الجزء رقم:NSTB60BDW1T1G
تردد - تحول:140MHz
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 150mA 140MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
وصف:TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.25W SC88
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):150mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات