NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G
رقم القطعة:
NSVDTC123JET1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
TRANS NPN 50V 0.1A SC75
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12622 Pieces
ورقة البيانات:
NSVDTC123JET1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NSVDTC123JET1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NSVDTC123JET1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NSVDTC123JET1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس):50V
اصلاحات تشبع (ماكس) @ باء، جيم:250mV @ 1mA, 10mA
نوع الترانزستور:NPN - Pre-Biased
تجار الأجهزة حزمة:SC-75, SOT-416
سلسلة:-
المقاوم - باعث قاعدة (R2) (أوم):47k
المقاوم - قاعدة (R1) (أوم):2.2k
السلطة - ماكس:200mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-75, SOT-416
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
الصانع الجزء رقم:NSVDTC123JET1G
تردد - تحول:-
وصف موسع:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SC-75, SOT-416
وصف:TRANS NPN 50V 0.1A SC75
العاصمة الربح الحالي (HFE) (مين) @ جيم، VCE:80 @ 5mA, 10V
الحالي - جامع القطع (ماكس):500nA
الحالي - جامع (IC) (ماكس):100mA
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات