يشترى NTD12N10G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD12N10G
- رقم القطعة:
- NTD12N10G
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13961 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD12N10G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD12N10G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD12N10G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 165 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NTD12N10G-ND NTD12N10GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD12N10G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 550pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 12A (Ta) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD12N10G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD12N10T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | تحقيق |
 |
IRFS3306TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | تحقيق |
 |
NTD12N10-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK | تحقيق |
 |
AO7400 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 1.7A SC70-3 | تحقيق |
 |
SI1400DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6 | تحقيق |
 |
APTM20SKM10TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 175A SP4 | تحقيق |
 |
ZXM61P03FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3 | تحقيق |
 |
NP50P04SDG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 40V 50A TO-252 | تحقيق |
 |
STP9NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | تحقيق |
 |
IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
NTD12N10T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 12A DPAK | تحقيق |
|
IRF3704ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK | تحقيق |
 |
FDPF13N50FT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F | تحقيق |
 |
STH175N4F6-6AG | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog