يشترى NTD23N03RT4 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD23N03RT4
- رقم القطعة:
- NTD23N03RT4
- وصف:
- MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12195 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD23N03RT4.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD23N03RT4 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD23N03RT4 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DPAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | NTD23N03RT4OSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD23N03RT4 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 225pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.76nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 25V 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) 1.14W (Ta), 22.3W (Tc) Surface Mount DPAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف: | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.8A (Ta), 17.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD23N03RT4
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD23N03R-001 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | تحقيق |
 |
PSMN5R0-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F | تحقيق |
 |
NTD23N03RG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | تحقيق |
|
NTD23N03R-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK | تحقيق |
 |
NTP90N02 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 90A TO220AB | تحقيق |
|
NTD23N03R | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | تحقيق |
 |
PMPB20XNEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT1220 | تحقيق |
|
NTD23N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | تحقيق |
 |
TK4A60DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220SIS | تحقيق |
|
IXTP3N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog