NTD6416ANLT4G
NTD6416ANLT4G
رقم القطعة:
NTD6416ANLT4G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16439 Pieces
ورقة البيانات:
NTD6416ANLT4G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD6416ANLT4G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD6416ANLT4G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTD6416ANLT4G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DPAK
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:74 mOhm @ 19A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):71W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:NTD6416ANLT4G-ND
NTD6416ANLT4GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTD6416ANLT4G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1000pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:40nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 19A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):4.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:19A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات