يشترى NTD80N02-001 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTD80N02-001
- رقم القطعة:
- NTD80N02-001
- وصف:
- MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15751 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTD80N02-001.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTD80N02-001 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTD80N02-001 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.8 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 75W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | NTD80N02-001OS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTD80N02-001 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2600pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 42nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 24V |
| وصف: | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTD80N02-001
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTD80N02T4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | تحقيق |
|
NTD80N02 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | تحقيق |
 |
IXFV52N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 52A PLUS220 | تحقيق |
 |
NTD80N02-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK | تحقيق |
 |
NTMFS4945NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8FL | تحقيق |
|
NTD80N02G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | تحقيق |
|
NTD80N02T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | تحقيق |
|
NTD6416ANL-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 19A IPAK | تحقيق |
 |
APTM120DA15G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1200V 60A SP6 | تحقيق |
 |
SI7868ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog