NTDV3055L104-1G
NTDV3055L104-1G
رقم القطعة:
NTDV3055L104-1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18938 Pieces
ورقة البيانات:
NTDV3055L104-1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTDV3055L104-1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTDV3055L104-1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTDV3055L104-1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:104 mOhm @ 6A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):1.5W (Ta), 48W (Tj)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NTDV3055L104-1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:440pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:20nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات