يشترى NTGS4111PT1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTGS4111PT1
- رقم القطعة:
- NTGS4111PT1
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15326 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTGS4111PT1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTGS4111PT1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTGS4111PT1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 3.7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 630mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | NTGS4111PT1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 750pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 2.6A (Ta) 630mW (Ta) Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTGS4111PT1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SIS430DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 25V 35A PPAK 1212-8 | تحقيق |
 |
IRLR7833TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK | تحقيق |
 |
NTGS4111PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
NTGS4141NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3.5A 6-TSOP | تحقيق |
|
NTGS4111PT2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.6A 6-TSOP | تحقيق |
 |
FCP7N60 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 | تحقيق |
|
SPD100N03S2L04T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A DPAK | تحقيق |
 |
NDTL03N150CG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P3 | تحقيق |
 |
IXFN25N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 25A SOT-227B | تحقيق |
|
FQP70N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 57A TO-220 | تحقيق |
 |
IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
PMN27UPH | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SC-74 | تحقيق |
 |
SPA20N60C3XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog