يشترى NTJD5121NT2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTJD5121NT2G
- رقم القطعة:
- NTJD5121NT2G
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13738 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTJD5121NT2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTJD5121NT2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTJD5121NT2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| السلطة - ماكس: | 250mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| اسماء اخرى: | NTJD5121NT2G-ND NTJD5121NT2GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTJD5121NT2G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 26pF @ 20V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.9nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 295mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 295mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTJD5121NT2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTJD5121NT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SOT363 | تحقيق |
 |
APTC60AM42F2G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 66A SP2 | تحقيق |
 |
SQJ946EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8 | تحقيق |
 |
SI5922DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 30V CHIPFET | تحقيق |
 |
FDC6000NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT | تحقيق |
 |
ZDM4206NTC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 | تحقيق |
 |
ZXMN3A06DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
BSL214NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 1.5A 6TSOP | تحقيق |
 |
DMN2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 6UDFN | تحقيق |
|
FDW2508PB | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 12V 6A 8-TSSOP | تحقيق |
 |
2N7002PV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 | تحقيق |
|
VQ1001P-2 | Vishay Siliconix | MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog