يشترى NTLLD4951NFTWG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTLLD4951NFTWG
- رقم القطعة:
- NTLLD4951NFTWG
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18237 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTLLD4951NFTWG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTLLD4951NFTWG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTLLD4951NFTWG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-WDFN (3x3) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 17.4 mOhm @ 9A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 800mW, 810mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerWDFN |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTLLD4951NFTWG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 605pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 12nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.5A, 6.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTLLD4951NFTWG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMC3032LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.1A/7A 8SOP | تحقيق |
 |
DMN2008LFU-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030 | تحقيق |
|
FDS9933A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 8SOIC | تحقيق |
 |
PMDPB58UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 3.6A HUSON6 | تحقيق |
 |
ALD210808ASCL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16SOIC | تحقيق |
 |
NTLLD4901NFTWG | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 | تحقيق |
 |
QJD1210011 | Powerex Inc. | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC | تحقيق |
 |
FDMC8032L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 40V 7A 8-MLP | تحقيق |
 |
SSM6L61NU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6 | تحقيق |
 |
FDPC8014S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP | تحقيق |
 |
DMN601DWK-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-363 | تحقيق |
|
NDS9952A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | تحقيق |
 |
SI6924AEDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 28V 4.1A 8-TSSOP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog