يشترى NTLUD3A260PZTBG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTLUD3A260PZTBG
- رقم القطعة:
- NTLUD3A260PZTBG
- وصف:
- MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18704 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTLUD3A260PZTBG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTLUD3A260PZTBG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTLUD3A260PZTBG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-UDFN (1.6x1.6) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 2A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 500mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 4 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTLUD3A260PZTBG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 300pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.3A 500mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.3A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTLUD3A260PZTBG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTLUD3A50PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN | تحقيق |
 |
SI4963BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC | تحقيق |
|
NTLUD3191PZTBG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN | تحقيق |
 |
NDS9936 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTLUD3A50PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.8A UDFN | تحقيق |
 |
QS8J4TR | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8 | تحقيق |
|
NTLUD3191PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.1A 6UDFN | تحقيق |
 |
SQJ912AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
APTM50TAM65FPG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P | تحقيق |
|
DMC3021LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO | تحقيق |
|
NTLUD3A260PZTAG | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 1.3A UDFN6 | تحقيق |
|
SI4532ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog