يشترى NTMD2C02R2G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTMD2C02R2G
- رقم القطعة:
- NTMD2C02R2G
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13328 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTMD2C02R2G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMD2C02R2G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMD2C02R2G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 43 mOhm @ 4A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | NTMD2C02R2GOS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTMD2C02R2G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1100pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.2A, 3.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTMD2C02R2G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMD2C02R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
|
NTMD2P01R2 | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
SQJB00EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8 | تحقيق |
 |
APTM50HM75STG | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4 | تحقيق |
 |
FDS6894AZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC | تحقيق |
|
NTMD2C02R2 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
 |
SI7272DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIR | تحقيق |
|
ZXMN10A08DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMD2P01R2G | ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 16V 2.3A 8SOIC | تحقيق |
 |
SSM6P36FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 | تحقيق |
 |
IRF7309TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC | تحقيق |
|
SI4965DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC | تحقيق |
|
ZXMN10A08DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog