NTMFS4120NT1G
NTMFS4120NT1G
رقم القطعة:
NTMFS4120NT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17302 Pieces
ورقة البيانات:
NTMFS4120NT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMFS4120NT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMFS4120NT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTMFS4120NT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.5 mOhm @ 26A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):900mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-PowerTDFN, 5 Leads
اسماء اخرى:NTMFS4120NT1G-ND
NTMFS4120NT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NTMFS4120NT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3600pF @ 24V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:50nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 11A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:11A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات