يشترى NTMSD6N303R2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTMSD6N303R2
- رقم القطعة:
- NTMSD6N303R2
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13593 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTMSD6N303R2.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTMSD6N303R2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTMSD6N303R2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | FETKY™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 32 mOhm @ 6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | NTMSD6N303R2OS |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTMSD6N303R2 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 950pF @ 24V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 30nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 6A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTMSD6N303R2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD6N303R2G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD6N303R2SG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFPC60LCPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC | تحقيق |
|
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD3P303R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC | تحقيق |
 |
H7N1002LS-E | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 100V LDPAK | تحقيق |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog