يشترى NTNS3190NZT5G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTNS3190NZT5G
- رقم القطعة:
- NTNS3190NZT5G
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17477 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTNS3190NZT5G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTNS3190NZT5G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTNS3190NZT5G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 3-XLLGA (0.62x0.62) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 120mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 3-XFDFN |
| اسماء اخرى: | NTNS3190NZT5G-ND NTNS3190NZT5GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTNS3190NZT5G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 15.8pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.7nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 224mA (Ta) 120mW (Ta) Surface Mount 3-XLLGA (0.62x0.62) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 224mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTNS3190NZT5G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD17382F4 | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 2.3A LGA | تحقيق |
 |
IXFR20N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 11A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
STP3N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220 | تحقيق |
 |
BSL302SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP | تحقيق |
 |
NTNS3A67PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V SOT883 | تحقيق |
 |
BUZ73E3046XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 7A TO-220AB | تحقيق |
 |
NTD4813N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.6A IPAK | تحقيق |
|
NTNS3164NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 | تحقيق |
 |
NTNS3193NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.224A XLLGA3 | تحقيق |
|
NTNS3A65PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883 | تحقيق |
|
NTNS3166NZT5G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 0.361A SOT883 | تحقيق |
 |
IRF9Z14L | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262 | تحقيق |
 |
SI3443DVTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 4.4A 6-TSOP | تحقيق |
|
NTNS3A91PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.223A XLLGA3 | تحقيق |
 |
RSS085N05FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 45V 8.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTNS3A92PZT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V SPCL XLLGA3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers