العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > NTP6412ANG
NTP6412ANG
NTP6412ANG
رقم القطعة:
NTP6412ANG
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14090 Pieces
ورقة البيانات:
NTP6412ANG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTP6412ANG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTP6412ANG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTP6412ANG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:18.2 mOhm @ 58A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):167W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:NTP6412ANG-ND
NTP6412ANGOS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:11 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTP6412ANG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3500pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:100nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 58A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH 100V 58A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNTP6412ANG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
NTP6410ANG Image NTP6410ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 76A TO-220 تحقيق
STI15NM60ND Image STI15NM60ND STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK تحقيق
NTP6411ANG Image NTP6411ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 72A TO-220AB تحقيق
IXFR34N80 Image IXFR34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247 تحقيق
NTP6413ANG Image NTP6413ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 42A TO-220AB تحقيق
SI7818DN-T1-GE3 Image SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 150V 2.2A 1212-8 تحقيق
STF9N60M2 Image STF9N60M2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220FP تحقيق
AO4706 Image AO4706 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC تحقيق
IRF9620PBF Image IRF9620PBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 200V 3.5A TO-220AB تحقيق
CSD19505KTTT Texas Instruments MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 تحقيق
NVTFS4C08NWFTAG Image NVTFS4C08NWFTAG ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 55A U8FL تحقيق
IRFS4020PBF Image IRFS4020PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK تحقيق
STU75N3LLH6-S Image STU75N3LLH6-S STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 75A IPAK تحقيق
IRFZ46ZS Image IRFZ46ZS Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK تحقيق
NTP6448ANG Image NTP6448ANG ON Semiconductor MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 تحقيق
DMT3004LPS-13 Image DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506 تحقيق
3LP01M-TL-E Image 3LP01M-TL-E ON Semiconductor MOSFET P-CH 30V 0.1A تحقيق

Latest الأخبار