العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > NTQS6463R2
NTQS6463R2
رقم القطعة:
NTQS6463R2
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
14584 Pieces
ورقة البيانات:
NTQS6463R2.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTQS6463R2 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTQS6463R2 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTQS6463R2 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:900mV @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:8-TSSOP
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:20 mOhm @ 6.8A, 4.5V
تبديد الطاقة (ماكس):930mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
اسماء اخرى:NTQS6463R2OS
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:NTQS6463R2
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:-
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:50nC @ 5V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 20V 6.8A (Ta) 930mW (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):20V
وصف:MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6.8A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لNTQS6463R2

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
RRS100N03TB1 Image RRS100N03TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC تحقيق
IRLIZ14G Image IRLIZ14G Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP تحقيق
IXFX64N50P Image IXFX64N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 64A PLUS247 تحقيق
IPB011N04NGATMA1 Image IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7 تحقيق
BSP324L6327HTSA1 Image BSP324L6327HTSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 400V 170MA SOT-223 تحقيق
CSD13381F4 Texas Instruments MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR تحقيق
CTLDM7120-M621H TR Image CTLDM7120-M621H TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 20V 1A تحقيق
SQJA62EP-T1_GE3 Image SQJA62EP-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 60V 60A SO8 تحقيق
IXTK102N30P Image IXTK102N30P IXYS MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 تحقيق
IRF7805PBF Image IRF7805PBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC تحقيق
STP10NK70Z Image STP10NK70Z STMicroelectronics MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220 تحقيق
PMN48XP,115 Image PMN48XP,115 Nexperia USA Inc. MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP تحقيق
PMZ130UNEYL Image PMZ130UNEYL Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 20V SOT883 تحقيق
SUD50N10-18P-E3 Image SUD50N10-18P-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252 تحقيق
SUD50N04-05L-E3 Image SUD50N04-05L-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 40V 115A TO252 تحقيق
SI4435DYTRPBF Image SI4435DYTRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC تحقيق
STL10N3LLH5 Image STL10N3LLH5 STMicroelectronics MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT تحقيق
BSL307SP Image BSL307SP Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 5.5A 6-TSOP تحقيق
IXTK170P10P Image IXTK170P10P IXYS MOSFET P-CH 100V 170A TO-264 تحقيق
FMD21-05QC IXYS MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 تحقيق

Latest الأخبار