يشترى NTR1P02T3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTR1P02T3
- رقم القطعة:
- NTR1P02T3
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12981 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTR1P02T3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTR1P02T3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTR1P02T3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-23-3 (TO-236) |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 400mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | NTR1P02T3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 165pF @ 5V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 2.5nC @ 5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTR1P02T3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02LT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | تحقيق |
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 | تحقيق |
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | تحقيق |
 |
DMN6013LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8 | تحقيق |
|
NTR1P02T3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | تحقيق |
|
NTR1P02T1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | تحقيق |
 |
TN0604N3-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3 | تحقيق |
 |
TPH11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP | تحقيق |
 |
HUFA76407D3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
 |
SIR870DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog