NTS4173PT1G
NTS4173PT1G
رقم القطعة:
NTS4173PT1G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12980 Pieces
ورقة البيانات:
NTS4173PT1G.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTS4173PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTS4173PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى NTS4173PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:1.5V @ 250µA
فغس (ماكس):±12V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SC-70-3 (SOT323)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:150 mOhm @ 1.2A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):290mW (Ta)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:SC-70, SOT-323
اسماء اخرى:NTS4173PT1G-ND
NTS4173PT1GOSTR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:21 Weeks
الصانع الجزء رقم:NTS4173PT1G
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:430pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:10.1nC @ 10V
نوع FET:P-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:P-Channel 30V 1.2A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):2.5V, 10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:1.2A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات