يشترى NTZS3151PT1G مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NTZS3151PT1G
- رقم القطعة:
- NTZS3151PT1G
- وصف:
- MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14059 Pieces
- ورقة البيانات:
- NTZS3151PT1G.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NTZS3151PT1G ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NTZS3151PT1G عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-563 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 150 mOhm @ 950mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 170mW (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-563, SOT-666 |
| اسماء اخرى: | NTZS3151PT1GOSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 45 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NTZS3151PT1G |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 458pF @ 16V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.6nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 20V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 860mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNTZS3151PT1G
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NTZS3151PT1H | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 | تحقيق |
|
NTZS3151PT5G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | تحقيق |
 |
APT60M75JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227 | تحقيق |
 |
IPD03N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 90A TO-252 | تحقيق |
 |
IRF6215LPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 150V 13A TO-262 | تحقيق |
 |
ZXMN2069FTA | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH SOT23-3 | تحقيق |
 |
STP15NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 14A TO-220 | تحقيق |
 |
CSD18540Q5B | Texas Instruments | MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON | تحقيق |
 |
AOT12N30L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N CH 300V 11.5A TO220 | تحقيق |
 |
IXTA160N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | تحقيق |
 |
AOD456 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 25V 50A TO252 | تحقيق |
 |
IXFK55N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 55A TO-264AA | تحقيق |
 |
BSS127 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT-23 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog