يشترى NX3008PBK,215 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
NX3008PBK,215
- رقم القطعة:
- NX3008PBK,215
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V TO-236AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12675 Pieces
- ورقة البيانات:
- NX3008PBK,215.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل NX3008PBK,215 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك NX3008PBK,215 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.1V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±8V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-236AB (SOT23) |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 350mW (Ta), 1.14W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| اسماء اخرى: | 1727-1281-2 568-10499-2 568-10499-2-ND 934065642215 NX3008PBK,215-ND NX3008PBK215 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | NX3008PBK,215 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 46pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 0.72nC @ 4.5V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 230mA (Ta) 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23) |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 2.5V, 4.5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V TO-236AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 230mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لNX3008PBK,215
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NX3008PBKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SOT323 | تحقيق |
 |
NX3008NBKSH | Nexperia USA Inc. | NX3008NBKS/SC-88/REEL 7" Q3/T4 | تحقيق |
|
NX3008PBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.2A 6TSSOP | تحقيق |
 |
NX3008PBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 30V 0.22A SOT666 | تحقيق |
 |
NX3008PBKMB,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN | تحقيق |
|
NX3008NBKW,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V SOT323 | تحقيق |
|
NX3008CBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V 6TSSOP | تحقيق |
|
NX3008NBKS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP | تحقيق |
|
NX3008NBKMB,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 530MA 3DFN | تحقيق |
|
NX3008NBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.4A SOT666 | تحقيق |
 |
NX3008NBK,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | تحقيق |
|
NX3008CBKV,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N/P-CH 30V SOT666 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog